文 | 产联社CLS
近日，SK海力士375层第10代3D NAND闪存完成生产验证，年底将在清州M15工厂量产。这款产品最初规划400层，因工艺难度下调，但真正的突破在于：字线金属栅极首次用钼取代了沿用十余年的钨。
三星早在2024年4月量产的286层产品中就已率先引入钼，第十代400层以上产品定于2026年下半年面世。美光则在NAND与DRAM双线布局。
国金证券5月31日研报指出，全球存储巨头不约而同的材料转向，释放出清晰信号：钼正从边缘辅料逆袭为半导体核心战略材料，钼价有望受益于高端制造和能化需求的共振。、东莞证券等多家机构也表示，稀有金属供需格局持续优化，钨、钼、锗受新能源与AI双轮驱动，供应偏紧，价格中枢有望上移。
接下来，我们将从技术切换入手，系统梳理钼的物理禀赋、以钼代钨的技术逻辑、存储大厂的路线差异、需求“三级火箭”式爆发、供给侧刚性困局及产业链价值分布。
来源：科普中国
钼：从钢铁“维生素”到半导体“主角”
钼（Molybdenum），原子序数42，熔点2622℃，是一种银白色的难熔金属，兼具高强度、高导热、耐腐蚀和良好导电性。
全球约80%的钼用于钢铁冶金，被称为钢铁的“维生素”。工程机械、油气管道、汽车零部件等均离不开含钼合金钢。化工领域的加氢脱硫催化剂以及军工航天的高温合金也是传统需求大户。在半导体行业，钼长期扮演“配角”：溅射靶材、散热基板，用量小、关注度低。
但钼的地位正经历“三级跳”：早期仅作辅助材料；随着ALD原子层沉积技术成熟和钼前驱体商业化，钼开始切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV等场景；3D NAND突破300层后，传统钨材料触及物理极限，钼一跃成为字线金属栅极的首选方案，正式跻身核心战略材料。将钼列为2026年重点品种，认为其“有量无价”的僵局正在打破。长江证券2026年5月研报将其定位为“油气军工金属”，测算供需缺口自2026年逐步扩大，至2028年达到极致。
钨出局，钼上位：一场材料换血的底层逻辑
要理解为什么要换掉钨，先得明白3D NAND里“字线”是干什么的。
简单说，字线就是连接存储单元的“控制线”，负责选中某一层、某一行的单元来读写。层数越高，字线越多，线宽也被压到纳米级。这条线的材料好不好，直接决定了芯片跑得快不快、能存多密。
早期64层、96层时代，多晶硅电阻太高，被金属钨取代。钨确实能干，撑起了3D NAND从几十层到几百层的跨越。但到了300层以上、线宽被压到10纳米以下时，钨就扛不住了。
钨有三大致命伤：
第一，电阻暴涨。线太细之后，电子在钨里面“跑不动”，电阻率断崖式上升，产生严重延迟，读写速度被拖慢。
第二，浪费空间。钨不能直接贴在绝缘层上，必须垫一层氮化钛作阻挡层。别小看这一层，375层甚至400层堆起来，阻挡层累计会挤占30%到40%的有效厚度，白白浪费了宝贵的垂直空间。
第三，氟残留。钨沉积用的气体是六氟化钨，容易残留氟原子，会腐蚀芯片的介电层，导致漏电、失效。
来源：imec研究报告（2018年IITC会议；引自《半导体行业观察》编译文章）
钼刚好能解这三个难题。
宏观上，钨和钼的导电能力差不多。但到了纳米尺度，钼的电子平均自由程更短，10纳米以下时电阻率比钨低30%到50%，信号传输明显更快。钼还不需要阻挡层，可以直接贴上去，省出来的空间全变成导电金属，同等线宽下有效导电截面更大。而且钼用的是无氟前驱体，彻底告别氟残留造成的腐蚀和漏电。工艺上也更友好：钼完美适配主流的ALD原子层沉积技术，能均匀填充超深孔道，薄膜质量远超钨的老工艺。
当然，钼也有麻烦。 最大的麻烦是：钼前驱体在常温下是固态，不像气态六氟化钨那样好输送。生产时必须高温加热，还要精准控制用量和速度，对设备和工艺要求很高。SK海力士在对比泛林集团和东京电子的设备后，选了后者。东京电子的炉式设备一次能处理100片晶圆，采购成本、场地占用和物料消耗都更有优势。
中信证券近期判断，在基建落地和新能源金属需求分化的背景下，钼、钨等供给刚性强、下游确定性高的品种，价格中枢有望温和上移。
巨头赛跑：、海力士、美光……谁领“钼”局？
面对钼带来的性能红利，各家存储大厂的反应速度和策略不尽相同。
三星电子走在了最前面。自2024年4月起量产的第九代286层3D NAND，就已将钼应用于金属布线环节。第十代400层以上产品定于2026年下半年推向市场，钼的应用范围还将持续扩大。根据国金证券测算，三星2025年的钼材料采购量约为4吨，2026年预计增至10吨，到2030年将达到80吨（均为行业测算值，非官方披露）。
SK海力士快速跟进。375层V10年底量产，后续规划480层、604层。供应链上，液化空气、英特格、默克为主力供应商，韩国SK Specialty正积极入局。SK海力士2027年起大规模导入钼，据行业测算，初期年采购约4吨。值得注意的是，它未新建厂房，而是改造清州M15旧产线以降低成本。行业分析显示，其375层NAND的钼替换率2026年二至三季度将达15%-35%，据行业分析，2027年NAND行业钼材料整体替换率有望攀升至55%-75%，届时钼需求将进入井喷期。
美光采取双线布局策略，同时在NAND和DRAM领域推进钼材料的应用，并探索复合金属技术路线，试图以差异化方案抢占先进制程的先机。
铠侠和西部数据则相对保守，目前仍处于技术验证阶段，尚未有明确的量产时间表。
国金证券指出，进口钼矿去化程度较高，国内钼价走稳回升。产业链上下游去库，顺价逻辑逐步兑现，叠加钢材合金化趋势，钼价“有量无价”的僵局正在打破。华泰证券也分析指出，短期宏观利率预期虽有压制，但中长期景气向好。这场“钼暗战”不仅是材料选择的分野，更将直接重塑NAND和HBM市场的竞争格局。
需求的三级火箭：从NAND到HBM再到逻辑芯片
钼在半导体领域的需求爆发并非单一场景驱动，而是一条清晰的“三级火箭”传导路径。
第一级：NAND是当前最确定的增量。 仅字线直接用量，三星到2030年的采购量预计达到80吨，SK海力士从2027年起每年约4吨起步，两家合计将接近百吨。若算上靶材等更广口径，实际需求远不止此。国金证券指出，钼同属军工金属，库存持续低位，海外国防开支增加或进一步拉涨钼价。
第二级：DRAM/HBM是下一个增长极，而且速度可能比预想的更快。HBM通过垂直堆叠DRAM层来提升带宽，HBM4规格的层数已达12至16层。在这种高密度堆叠场景下，钨的高电阻、氟残留、填充困难等短板被极致放大。钼的电阻率比钨低30%至50%，无需氮化钛阻挡层，接触电阻降低约56%。单颗HBM的钼靶用量约为普通DRAM的3到5倍，而HBM4的钼渗透率已接近100%。随着三星、SK海力士、美光在HBM3e和HBM4产品中全面转向钼字线，DRAM领域对钼的需求正在快速追赶NAND。
华泰证券在展望2026年半导体行业时表示，AI驱动的HBM及高容量DDR5需求仍保持旺盛，预计2026年DRAM市场供需关系仍将保持紧张。在NAND方面，HDD供应已出现短缺，叠加AI推理应用快速增加，将共同拉动企业级SSD需求增长，推动NAND供需结构持续优化。这一趋势将为钼材料在存储领域的渗透提供坚实基础。
第三级：逻辑芯片是远期想象空间，也是天花板最高的市场。铜互连在10纳米以下先进制程中，因表面散射和晶界散射面临电阻率指数级上升的窘境。而钼的电子平均自由程远短于铜，在纳米尺度下受到尺寸效应的负面影响更小。imec等研究机构正在积极探索钼作为铜互连的替代方案。业内普遍预期，逻辑芯片将在未来两到三年内 逐步采用钼互连方案，这将把钼的市场空间从存储这一个细分领域推向整个半导体制造的全局性变革。
这三个层级层层递进：NAND是当下最确定的增量，HBM是中期爆发点，逻辑芯片则是远景天花板。中信证券也指出，2026年稀有金属板块估值仍处历史中低位，流动性缓和、供给扰动频发、下游高景气延续，钨、锂、稀土磁材领涨，供需紧平衡下价格与盈利有望持续改善。
供给真相：七成钼是铜矿的伴生品，远水难解近渴
需求端热火朝天，供给端却是一盆冷水。
全球约70%的钼不是专门开采的，而是铜矿的伴生品。一吨铜矿石里仅能提炼出约0.2公斤钼。这意味着钼的产出规模完全依附于铜矿的开采节奏：铜矿不开采，钼就没有；铜矿扩产了，钼才能跟着多出来一点。即便下游需求爆发式增长，也不会有人专门为了这点伴生钼去单开一座矿。而一座独立钼矿从立项到建成投产，周期至少需要8年。
中国的资源储量位居全球第一，但在高端环节长期受制于人。根据美国地质调查局2026年发布的《矿产品概要》（MCS 2026），截至2025年末，全球钼资源探明储量约为1700万吨金属量。中国以780万吨、占比45.88%高居榜首，美国以350万吨、占比20.59%位列第二，智利以260万吨、占比15.29%排名第三。中国同时也是全球最大的钼生产国，2025年全球钼矿总产量约26万吨，中国产量占全球总量的37.31%。
然而，中国出口的钼产品多以工业级钼铁等基础原料为主，赚取的是资源加工费。经过深度提纯制成的5N级半导体靶材，长期被默克、液化空气、英特格等海外巨头垄断。核心障碍不在于技术完全做不出来，而在于半导体行业的供应链认证壁垒：一种新材料进入头部晶圆厂的供应体系，需要经历12个月样品测试和12个月小批量试产，整体认证周期长达两年。等国内企业走完认证流程，高端产能早已被海外合作方锁定。
长江证券在5月发布的小金属钼专题研报中给出了更为详细的测算：2026至2028年，国内钼矿山供给增长有限，测算2028年较2025年增长约2.2万金属吨，增幅约16%，增量主要来自南泥湖钼矿扩建、安沟钼多金属矿投产、沙坪沟项目部分投产以及巨龙铜矿、玉龙铜矿的扩产。海外增量则主要来自Encuentro硫化矿坑扩建等项目。长江证券据此判断，供需缺口自2026年起逐步扩大，至2028年达到极致；“十五五”末期随供给增量释放，尽管紧缺程度有所缓解，整体或维持供需平衡。
据国元证券、长江证券等多家券商研报汇总测算，2025年和2026年全球钼金属需求量预计分别为30.71万吨和31.70万吨，对应缺口分别达3.64万吨和4.43万吨，缺口率呈持续扩大态势。供需缺口持续扩张有望推动钼价中枢上行。
从产业链价值分布来看，上游采选环节（代表性企业包括金钼股份、洛阳钼业、自由港等）毛利率约为10%至20%，受价格周期影响较大；中游基础冶炼环节（钼铁、氧化钼）毛利率在15%至25%之间，主要靠规模效应赚钱；而高端深加工环节（高纯钼粉、5N靶材）毛利率可达30%至60%，是整条产业链真正的价值增长点。
图片来源：据行业公开资料及券商研报整理，万联摩尔AI生成
国产机遇与隐忧：窗口已开，风险未散
这一轮“以钼代钨”的材料迭代，对国内半导体产业而言是一个难得的国产化窗口。
为什么说难得？因为不同于传统制程追赶中那种“一步慢、步步慢”的代差壁垒，钼材料属于一个全新的技术赛道。在高端钼靶材、钼前驱体、ALD工艺等领域，国内外企业的研发和量产节奏基本上同步，不存在难以逾越的绝对技术代差。与此同时，中国拥有全球第一的钼资源储量和成熟的基础钼产业集群，这是任何海外对手都不具备的天然供应链优势。
剩下的就是攻坚那几个“卡脖子”环节：6N至7N超高纯钼提纯、高端钼前驱体的稳定合成、ALD设备在钼工艺上的验证和适配。如果国内企业能在这几个方向上打开局面，就有望从“卖原料”转向“卖标准”，真正掌握产业链的核心话语权。
但也要保持清醒。行业分析中有一个反复被提及的观点：坐拥资源不等于掌握行业话语权，产业链的核心竞争力始终掌握在掌握先进技术与行业标准的一方。高端钼靶材的认证周期长达两年，等风来了再临时抱佛脚，注定会错失机会。国产替代从来不是一场短跑冲刺，而是一场需要提前布局、长期投入的马拉松。
目前，金钼股份作为亚洲最大的钼业公司，保有钼金属量约150万吨；洛阳钼业是国内最大的钼生产商之一，拥有栾川三道庄等优质矿山；国城矿业在内蒙大苏计矿区的钼金属量达14.48万吨，品位0.117%，属于国内高品位钼矿。这些企业在产业链上游占据主导地位，但中游高端深加工环节仍待突破。
钼价虽被多家机构看好，但高位运行下风险不容忽视。宏观层面，全球经济动能偏弱，若钢铁、化工等下游需求走弱，钼价将承压。市场层面，钼精矿价格自年初已上涨约30%，近期出现弱势震荡，钢招压价、成品承压，产业链博弈加剧。供给层面，若沙坪沟等大型钼矿超预期投产，或海外产能提前释放，可能打破供需紧平衡。此外，地缘政治扰动供应链、钌等替代材料的技术突破，以及环保政策趋严等，均是潜在变量。
材料革命启幕，颠簸与机会同行
从SK海力士375层NAND的一个工艺细节，到三星、美光的全线跟进；从NAND的字线，到HBM的堆叠，再到逻辑芯片的互连探索。钼正在书写半导体材料史上一个罕见的逆袭故事。
当半导体制造逼近物理极限时，创新的主战场正从架构设计与制程微缩，转向材料和工艺的底层突破。国金证券在近期多份研报中反复强调，钼价“有量无价”的僵局已逐步打破，上涨通道进一步明确。钼同属军工金属，全球库存持续低位，海外国防开支增加或进一步拉涨钼价。
但风险同样不容忽视。当前钼价已运行在近三年高位区间，市场进入多空博弈阶段，宏观波动、供给释放节奏、替代材料技术演进以及供应链重构中的不确定性，都可能是扰动行情的变量。
“以钼代钨”已不是“要不要做”的问题，而是“以多快速度落地”的问题。这场由存储巨头引爆的材料革命将如何重塑全球半导体产业链？答案写在每一条更细、更快、更可靠的钼字线上。
对于投资者和产业观察者而言，既要盯紧那些正在审批的钼矿和调试中的ALD产线，也要对高位下的波动风险保持清醒。这个看似不起眼的金属，可能正在开启一个属于它的时代。但这一路上，颠簸与机会始终并存。
数据来源：USGS（美国地质调查局）《矿产品概要》（MCS 2026）、imec研究报告、SMM、安泰科、Wind
研报来源：
国金证券-《有色金属行业小金属双周谈：钨价第二波蓄势，继续重视钼的年度行情》（2026.05.31）
国金证券-《有色金属周报：铜需求修复，全面看多稀土钨钼锡》（2026.06.14）
长江证券-《小金属钼专题：油气军工金属，战略价值重估》（2026.05.12）
中信证券、东莞证券相关研报（2026年6月）
报道来源：
科创板日报-《SK海力士，尝试“以钼代钨”》（2026.06.11）
半导体行业观察-《钨退钼进，势不可挡？》（2026.06.15）
The Elec-韩国媒体相关报道（2026.06）
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